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参数目录49936
> PHB29N08T,118 MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
型号:
PHB29N08T,118
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PHB29N08T,118 PDF
产品目录绘图
PHB Series D2PAK
标准包装
800
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
27A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
50 毫欧 @ 14A,11V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
810pF @ 25V
功率 - 最大
88W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1507 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
568-2190-2
934057125118
PHB29N08T /T3
查看PHB29N08T,118代理商
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